上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應用平臺的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPROM制程平臺。
　
　　低本高效的OTP技術平臺是基于宏力半導體自身的0.18微米邏輯制程，結合了來自宏力戰(zhàn)略伙伴eMemory的第OTP。該MCU解決方案僅需14個光罩層，比傳統(tǒng)的0.35微米OTP至少減少了5個光罩層，創(chuàng)造了MCU工藝最低光罩層總數(shù)的行業(yè)紀錄。用STI(淺槽隔離)代替LOCOS (局部場氧化)，并按照0.18微米后端制程的設計規(guī)則，使芯片的尺寸與標準的0.35微米或0.5微米OTP產(chǎn)品相比縮小30%以上。另外，宏力還提供一整系列的單元庫來簡化客戶的設計并縮短產(chǎn)品上市的時間。至今為止已經(jīng)有20多件產(chǎn)品在宏力投入量產(chǎn)。
　
　　對于高性能的MCU產(chǎn)品，需要高擦寫次數(shù)的非揮發(fā)性記憶體，就此宏力提供搭配不同邏輯特性的嵌入式閃存制程平臺，支持通用，低功耗，以及超低漏電的邏輯電路設計使得客戶可以針對MCU的具體應用來選擇適合的工藝，以更好的設計高速以及低功耗的產(chǎn)品。這些嵌入式閃存制程結合了其基于SST SuperFlash(r) (1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術和自身的邏輯技術，覆蓋了從0.13微米到0.18微米的技術節(jié)點。其閃存記憶單元只有0.38平方微米，對于0.18微米技術節(jié)點而言已是行業(yè)中的最小單元尺寸，同時還可重復擦寫10萬次以上。
　
　　宏力半導體在提供標準Triple-gate嵌入式閃存制程的同時，也提供低成本高效率的Dual-gate方案。Dual-gate嵌入式閃存制程的光罩層數(shù)較少，3.3/12V只需22層，而1.8/12V在25層以下。對于客戶擔心的I/O，以及模擬IP，宏力半導體也可以提供相應的解決方案。
　
　　此外，宏力還提供EEPROM技術以支持更高擦寫次數(shù)要求的MCU產(chǎn)品以及銀行卡，市民卡等應用，
　
　　“至今為止，宏力半導體已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬片基于其自身制程的晶圓，并成為領先的MCU應用產(chǎn)品的晶圓代工供應商之一。宏力極具競爭優(yōu)勢的低本高效OTP，嵌入式閃存及EEPROM技術幫助我們的客戶在縮短產(chǎn)品上市時間的同時，降低了其制造及研發(fā)成本。” 宏力半導體銷售市場服務單位資深副總衛(wèi)彼得博士表示，“本著公司專注于差異化技術的戰(zhàn)略，我們將持續(xù)加強并擴展MCU應用的技術開發(fā)。宏力的技術解決方案將幫助我們的客戶迅速在MCU市場中獲得更大的份額。”