日前，德州儀器 (TI) 宣布 PowerStack^TM 封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破 3000 萬套，該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能，降低功耗，并改進芯片密度。
　　
　　TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出：“為實現(xiàn)寬帶移動視頻與 4G 通信等更多內(nèi)容，計算應用的性能需求不斷提升。與此同時，也出現(xiàn)了電信與計算設備的小型化需求。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命，PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求。”
　　
　　PowerStack 技術(shù)的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實現(xiàn)的，即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET，并采用兩個銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨特組合可實現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。
　　
　　通過 PowerStack 技術(shù)堆棧 MOSFET，最明顯的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達 50%。除降低板級空間之外，PowerStack 封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。如欲了解有關(guān) PowerStack 優(yōu)勢的更多詳情，敬請訪問：ti.com/powerstack。
　　
　　TechSearch 國際創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示：“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項具有如此強大功能的封裝技術(shù)，3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強，該技術(shù)將是解決各種當前及新一代設計挑戰(zhàn)的理想選擇。”
　　
　　PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產(chǎn)。
　　
　　TI 菲律賓公司總經(jīng)理 Bing Viera 指出：“Clark 是我們位于菲律賓的、業(yè)界一流的最新封測廠。今年，我們將進一步提升 Clark 高級封裝技術(shù)的產(chǎn)能，到第三季度該廠初期產(chǎn)能將提高近 1 倍。”
　　　　
　　如欲了解關(guān)于 TI 制造技術(shù)的更多詳情，敬請訪問：www.ti.com/powerstack-pr-mfg。
　　
通過領(lǐng)先封裝技術(shù)推進模擬發(fā)展
　　PowerStack 封裝技術(shù)再次凸顯了 TI 在封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)，其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應用實現(xiàn)更進一步的發(fā)展。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗，可為成千上萬種豐富產(chǎn)品、封裝配置與技術(shù)提供支持，從而可為模擬市場提供最豐富的封裝組合。如欲了解有關(guān) TI 領(lǐng)先封裝技術(shù)的更多詳情，敬請訪問：www.ti.com/powerstack-pr-pkg。
　　
關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)
　　TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計算、網(wǎng)絡、服務器系統(tǒng)以及電源應用提高能源效率。此外，這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 還可為系統(tǒng)設計人員提供當前最高級的 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換解決方案。
　　
　　如欲了解有關(guān) TI NexFET™ Power Block 的更多詳情，敬請訪問：www.ti.com/powerblock-pr。
　　
商標
　　PowerStack 與 NexFET 是德州儀器公司的商標。所有其它注冊商標與商標均歸其各自所有者所有。