原子層沉積技術是一種有序的氣相薄膜生長技術，具有良好的保形性、均勻性和高的臺階覆蓋率。通過原子層沉積氧化鋁薄膜對硅片表面進行鈍化，可以大幅度提高太陽能電池效率，被業界普遍認為是未來新一代晶硅太陽能電池技術發展的重要趨勢。

近日，在浙江中科院應用技術研究院嘉興微電子設備與儀器工程中心，由夏洋帶領的微電子儀器與設備創新團隊，在晶硅太陽能電池表面鈍化技術的研究中取得新進展。

該創新團隊利用自主設計生產的KMT-200A型原子層沉積設備，在P型單晶硅片上生長氧化鋁鈍化層，退火后平均少子壽命可達1ms，有效減少了硅片表面復合，具有優秀的表面鈍化效果。

在半導體材料中，某種載流子占少數，導電中起到次要作用，則稱它為少子。單晶硅中摻硼為P型，摻硼越多，則能置換硅產生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。

目前，微電子儀器與設備創新團隊以技術優勢，吸引美國硅谷研究團隊來嘉興開展原子層技術合作，加快了國內開發原子層沉積設備的研制，推進該項目在嘉興市的產業化。

嘉興中心推出了一系列的擁有自主知識產權和創新的原子層沉積設備產品，包括熱型設備、等離子體增強型設備和適于光伏產業應用的批量型設備，實現了國產原子層沉積設備在光伏產業首創應用的新局面，為下一代高效晶硅太陽能電池產業的發展提供了國產化設備支撐。