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突破細微化極限!東芝攜手海力士研發納米壓印技術

2015-02-07

    全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發布新聞稿宣布,為加快次世代半導體露光技術「納米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發腳步,已和南韓半導體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約,雙方技術人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業所攜手研發NIL制程的關鍵技術,目標為在2017年實用化

  東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權案一事達成和解,海力士(Hynix)除同意支付東芝2.78億美元(約330億日圓)和解金外,雙方當時也宣布將攜手研發被稱為「納米壓印(Nanoimprint)」的次世代半導體露光技術。

  據日經新聞指出,東芝已于2014年開始量產全球最先端的15nm NAND Flash產品,而就現行技術來看,15nm被視為是存儲器電路線幅細微化的極限,而東芝期望借由研發NIL技術、突破細微化極限,讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化,以借此提高產品性能及成本競爭力。

  日經指出,東芝目前已和Canon攜手研發NIL制造設備,而東芝和SK 海力士(SK Hynix)于NIL制程技術的研發成果也將回饋至制造設備的研發上。

  另據日刊工業新聞指出,東芝期望藉由NIF技術的實用化來降低3D NAND Flash的成本。

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