《電子技術(shù)應(yīng)用》
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淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗
王仁波
飛兆半導(dǎo)體
摘要: 隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及,辦公自動化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展,越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能,以隨時滿足使用者的要求。這些新產(chǎn)品、新技術(shù)在極大地方便我們生活的同時,也造成了大量的能源浪費。,“能源之星”等規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)在致力于提升這些設(shè)備所用電源工作能效的同時,也注重提升輕載能效及降低待機能耗。
Abstract:
Key words :

隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及,辦公自動化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展,越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能,以隨時滿足使用者的要求。這些新產(chǎn)品、新技術(shù)在極大地方便我們生活的同時,也造成了大量的能源浪費。,“能源之星”等規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)在致力于提升這些設(shè)備所用電源工作能效的同時,也注重提升輕載能效及降低待機能耗。

對于一個反激式開關(guān)電源而言,我們可以通過以下幾個方面來提升輕載效率和待機功耗
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1. 開關(guān)MOSFET的損耗通??梢苑譃閷?dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、驅(qū)動損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下,原邊電流的峰值和有效值都會明顯降低,這時候的開關(guān)損耗是主導(dǎo)因素。而開關(guān)損耗與Vds電壓、開關(guān)頻率有著直接的關(guān)系。因此,減少MOSFET在輕載和空載時的損耗,可以通過使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來實現(xiàn);

2. 使用具有HV啟動功能的芯片,這樣可以避免啟動電阻產(chǎn)生的損耗。另外,要選擇合適的X電容泄放電阻;

3. 對反饋線路的優(yōu)化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準(zhǔn)431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機功耗。當(dāng)然,同時也要考慮到對Dynamic的影響;

4. 對吸收線路的優(yōu)化。傳統(tǒng)的RCD嵌位線路會造成比較大的損耗,相對而言,使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機功耗;
此外,使用ZFB比較大的芯片,以及優(yōu)化變壓器的設(shè)計也會起到一定的積極作用。

總之,提升反激式開關(guān)電源的輕載能效及降低待機功耗,需要對反激式拓?fù)渚€路做詳細(xì)的分析,抓住每一個損耗的源頭,一點一滴的累積并提高,才能最大限度的滿足日益嚴(yán)格的需求。

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