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Globalfoundries表示14nm已流片, 良率沒有問題

2015-09-30
關(guān)鍵詞: AMD 14nm 格羅方德 Zen架構(gòu)

       從AMD分離出來的Globalfoundries(格羅方德,簡(jiǎn)稱GF)經(jīng)常被人說成不靠譜,AMD的CPU、APU多次因GF制程問題一波三折,前幾 天又爆出GF的14nm良率不行,進(jìn)度延期,以致于AMD的Zen架構(gòu)可能轉(zhuǎn)向TSMC的16nm FinFET。面對(duì)這樣的“負(fù)面新聞”,GF公司辟謠稱他們的第二代14nm LPP已經(jīng)流片,性能及良率都很好,而該制程的一大客戶就是AMD。

  前兩年GF公司放棄了自研的14nm XM制程改為直接授權(quán)三星的14nm FinFET制程,GF的14nm晶圓廠位于紐約州馬耳他市的Fab 8工廠,其中又分為兩個(gè)版本,初期的是14nm LPE(low-power early)及14nm LPP(Low Power Plus,高級(jí)低功耗制程),前者主要面向低功耗處理器,而14nm LPP是第二代制程,頻率比14nm LPE高了10%。

  對(duì)于14nm LPP制程的進(jìn)度,GF公司的高管Jason Gorss表示“高性能的14nm LPP預(yù)計(jì)在2015年下半年完成認(rèn)證,2016年早些時(shí)候開始量產(chǎn)。”

  根據(jù)GF公司所說,他們的14nm LPP制程最近已經(jīng)完成了流片驗(yàn)證(雖然GF今年4月份就說過高性能制程已經(jīng)流片了)。對(duì)集成電路研發(fā)來說,流片是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中最后一個(gè)步驟,意味著晶片已經(jīng)開始進(jìn)入樣片過程。

  GF公司表示“原型測(cè)試表明這些流片的樣品展示出了極好的邏輯及SRAM性能、良率,接近100%的目標(biāo)。”

  GF公司的14nm LPP良率、效能穩(wěn)定對(duì)AMD來說也是好事一件了,今年5月份的分析師會(huì)議上AMD確認(rèn)新一代處理器及GCN架構(gòu)顯卡都會(huì)升級(jí)到FinFET,而GF公司無論如何都是他們繞不過去的一個(gè)重要的晶圓代工夥伴。

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