賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產品，為工業、通信和可再生能源應用提供了迫切需要的電壓余量。

　　今天推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級結技術制造，反向恢復電荷(Qrr)比傳統MOSFET低10倍。這樣器件就能更快地阻斷電壓，有助于避免共通和熱過應力造成的失效，在零電壓切換(ZVS)/軟開關拓撲中提高可靠性，例如移相橋、LLC轉換器和3電平逆變器。

　　21A SiHx21N65EF有5種封裝形式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有兩種封裝。這些MOSFET的導通電阻分別只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，柵極電荷也非常低，使得器件的傳導損耗和開關損耗都極低，在太陽能逆變器、服務器和通信電源系統、ATX/Silver PC開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器、外置式電動汽車(EV)充電樁等高功率、高性能開關應用，以及LED、高強度氣體放電(HID)和熒光燈鎮流器照明中起到節能的作用。

　　器件可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖，確保限值通過100% UIS測試。MOSFET符合RoHS，無鹵素。

　　新的650V EF系列MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周到十八周。