去年11月份,高通正式宣布了旗下的新旗艦處理器驍龍835,隨后又在今年初的CES大展上公布了它的技術細節。現如今,驍龍835終于要在國內正式亮相了。
今天,高通宣布,將于3月22日下午在北京召開驍龍835亞洲首秀活動,屆時將詳細介紹驍龍835的一些技術細節,據說還有會跑分展示,令人非常期待。
目前已經公開的數據顯示,驍龍835采用10nm工藝打造,集成了八顆高通自主研發的Kryo 280處理器核心,四顆大核心頻率為2.45GHz,四核小核心頻率則是1.9GHz;內置的GPU為Adreno 540,DSP省級到Hexagon 682。
此外,驍龍835還整合了X16 LTE基帶,這讓它成為了全球首款下行速率達到千兆級別的SoC。同時,驍龍835還支持QC 4.0快速充電,相比QC 3.0來說效率可提升30%,速度能夠提升20%,而且發熱量更低。
而通過10nm工藝加持,高通表示驍龍835的核心面積減少了35%,而且功耗相比驍龍821降低25%。
據說,三星Galaxy S8、小米6等旗艦機均已確定會搭載驍龍835處理器,前者本月底會正式發布,后者的發布時間最遲應該是4月份。
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