在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。

美光指出，繼目前在新加坡?lián)碛蠪ab 10N、Fab 10X兩座NAND Flash快閃存儲器工廠之后，將在當(dāng)?shù)嘏d建第3座NAND Flash快閃存儲器工廠。新工廠的占地面積約16．5萬平方米，計劃2019年年中前后完工，2019年第4季開始投產(chǎn)。

不過，美光沒有公布新工廠的具體投產(chǎn)NAND Flash快閃存儲器類型和產(chǎn)能。但是，根據(jù)外界的預(yù)估，其投產(chǎn)的NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)品類型，應(yīng)該是現(xiàn)有64層堆疊快閃存儲器的下一代產(chǎn)品。

另外，美光除了宣布將在新加坡興建第3座NAND Flash快閃存儲器工廠之外，美光還表示，將在新加坡擴大當(dāng)前的研發(fā)規(guī)模，這將使得當(dāng)?shù)貑T工總數(shù)，有望從目前的7，500人增加到1萬人以上。

除了美光在NAND Flash快閃存儲器的發(fā)展外，在DRAM方面，值得一提的是，不久之前，美光的臺中工廠也因為供氮設(shè)備出現(xiàn)電路問題，發(fā)生氮氣供應(yīng)故障的情況，影響到部分的產(chǎn)品。對此，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法說會也已經(jīng)證實此事。

Sanjay Mehrotra表示，氮氣供應(yīng)受阻事件恐將導(dǎo)致美光本季DRAM產(chǎn)出減少2％到3％。而美光已經(jīng)將相關(guān)故障設(shè)備被送往美國進行維修，并于日前重新回到工廠，并且在4月份開始重新投入生產(chǎn)的工作。