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中國臺灣:臺積電2nm大突破

2020-07-14
來源:半導體行業觀察
關鍵詞: 臺積電 2nm GAA FinFET

    臺積電沖刺先進制程,在2納米研發有重大突破,已成功找到路徑,將切入GAA(環繞閘極)技術,為臺積電發展鰭式場效電晶體(FinFET)取得全球絕對領先地位之后,邁向另一全新的技術節點。盡管勁敵三星已早一步切入GAA,臺積電仍有信心以2納米切入GAA技術,在全球晶圓代工市場持續維持絕對領先地位。
   

臺積電圖標.jpg

    這是臺積電繼去年9月正式對外宣告投入2納米技術研發之后,在2納米技術的重大進展,凸顯臺積電強大的研發實力,預料臺積電最快會在下月舉行的技術論壇,宣告這項重大的技術成果。臺積電并未對此評論。
    臺積電3納米預定明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產,業界以此推斷,臺積電2納米推出時間將落在2023年到2024年間。
臺積電在今年4月法說會時,宣布3納米仍會沿用FinFET技術,主要考量是客戶在導入5納米制程后,采用同樣的設計即可導入3納米制程,可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品。
    不過,面對三星已決定在3納米率先導入GAA技術,并宣稱要到2030年超車臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發大軍一刻也不敢松懈,積極投入2納米研發,并獲得技術重大突破,成功找到切入GAA路徑,臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發工程師全心投入,為臺積電在先進技術布局,做了重大的貢獻。
羅唯仁目前是臺積電最資深的副總經理,原本計劃在三年前退休,被董事會慰留,持續領導臺積電研發向前沖刺。
    雖然臺積電對此刻意保持低調,也未宣布2納米將采用何種制程技術。不過,臺積電供應鍵透露,由于FinFET在3納米以下即會碰到瓶頸,因此臺積電選擇切入GAA技制,腳步雖比三星晚,但臺積電有信心會領先競爭對手,持續站稱全球晶圓代工龍頭地位。
    臺積電目前集重兵在5納米制程與三星決戰,從客戶端導入5納米制程塞爆臺積電產能,再次驗證臺積電先進制程再度成功完封三星,獨攬蘋果新世代A14處理器代工大單,未來3納米即使沿用FinFET技術,仍以優越的成本優勢,獨家為蘋果代工生產A15處理器。

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