據重慶日報報道，目前，重慶郵電大學實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片。
重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義透露，“目前，實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片，這也是重慶市功率半導體、汽車電子產業發展的新興方向。”據悉，第三代半導體功率芯片主要應用在汽車電子、消費電源、數據中心等方面，具備體積小、效率高、用電量少等特點。
“這款功率半導體芯片電量能節省10％以上，面積是硅芯片的1／5左右，開關速度提升10倍以上。”黃義透露，目前該項目已經到了試驗性應用階段，未來有望在各種電源節能領域和大數據中心使用。
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