空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會(huì)降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國(guó)防空間應(yīng)用認(rèn)證。

Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制以及通用開關(guān)。這款MOSFET器件能夠承受惡劣的空間環(huán)境，增強(qiáng)電源電路的可靠性，并以更高的性能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。 

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來(lái)的衛(wèi)星系統(tǒng)，也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。

新器件可以承受高達(dá)100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達(dá)87 MeV/mg/cm2的線性能量轉(zhuǎn)移（LET）的單一事件效應(yīng)（SEE）。在驗(yàn)證測(cè)試中，器件的晶圓批次耐輻射合格率達(dá)到100%。

Microchip分立式產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：“Microchip進(jìn)入耐輻射MOSFET市場(chǎng)，體現(xiàn)了我們致力于為客戶提供支持，為航空航天和國(guó)防OEM廠商和集成商提供高性能解決方案和持續(xù)供應(yīng)的長(zhǎng)期承諾。除了公認(rèn)的高質(zhì)量和可靠性外，M6 MRH25N12U3還為開發(fā)人員提供價(jià)值定價(jià)選擇以及全面的應(yīng)用支持。”

M6 MRH25N12U3屬于Microchip豐富的航空、國(guó)防和航天技術(shù)產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品包括現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）、微處理器集成電路（IC）、線性IC、功率器件、分立器件和集成SiC和Si電源解決方案的電源模塊。再搭配單片機(jī)（MCU）和模擬產(chǎn)品，Microchip能夠滿足大功率系統(tǒng)控制、門驅(qū)動(dòng)和功率級(jí)的需求，可為全球開發(fā)者提供整體系統(tǒng)解決方案。

Microchip在不斷推出新技術(shù)的同時(shí)，還尋求與航天產(chǎn)品制造商和集成商合作，保障現(xiàn)有和未來(lái)系統(tǒng)供應(yīng)鏈的安全。

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