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三星:3nm 代工市場 2026 年將達 242 億美元規模

2022-12-12
來源:IT之家
關鍵詞: 三星 3nm

12 月 11 日消息,三星電子 Foundry 代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導體 EUV 全球生態系統會議”上發表了演講。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202212/441513.htm

他表示,到 2026 年,全球 3 納米工藝節點代工市場將達到 242 億美元規模,較今年的 12 億美元增長將超 20 倍。

目前,三星電子是唯一一家宣布成功量產 3 納米芯片的公司,隨著三星電子、臺積電、英特爾等半導體大廠開始引進 EUV 設備,工藝技術不斷發展,預計 3 納米工藝將成為關鍵競爭節點。

根據 Gartner 數據,截至今年年底,在晶圓代工市場中占據最大份額的是 5 納米和 7 納米工藝,市場規模 369 億美元,未來其份額將逐步由 3 納米所取代。他表示,“隨著 14 納米 FinFET 工藝的推出,三星電子已經上升到代工市場的第二位。”

據稱,3 納米節點需要新的器件結構以提升性能,率先實現量產 3nm 工藝的三星使用了環柵(GAA)晶體管結構的 MBCFET 技術,較 FinFET 性能功耗有明顯改善。

“就 FinFET 而言,性能隨著引腳數量的增加而提高,但功耗的增加超出了性能的提高幅度”,他表示,“另一方面,MBCFET 的效率要高得多,因為它們在相似的水平上提高了性能和功率。”

具體來說,在 FinFET 技術中性能提升 1.3 倍但功耗也會隨著上漲2.2 倍,而在 MBCFET 中,性能提高 1.7 倍時,功耗只會增加 1.6 倍,相對來說效率更高。



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