第十一屆中國電子信息博覽會(huì)（CITE 2023）將于2023年4月7-9日登陸深圳會(huì)展中心（福田），以“創(chuàng)新引領(lǐng) 協(xié)同發(fā)展”為主題，在80000平方米展示面積打造全產(chǎn)業(yè)鏈科技應(yīng)用場(chǎng)景，硬科技同臺(tái)“飆技”，掀起一場(chǎng)信息產(chǎn)業(yè)的新浪潮！屆時(shí)，上海功成半導(dǎo)體科技有限公司將在1號(hào)館1C033展位亮相。

上海功成半導(dǎo)體科技有限公司（CoolSemi）成立于2018年5月，總部位于上海，在無錫、深圳、成都等地設(shè)立分公司。功成半導(dǎo)體以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，致力于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為客戶提供高效可靠的產(chǎn)品。主要從事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結(jié)SJ、溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設(shè)計(jì)和研發(fā)。

展品1

展品名稱：SJ MOSFET

展品類別：功率器件

展品特點(diǎn)：SJ  MOSFET（Super Junction  MOSFET）超結(jié)功率器件采用N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)硅基MOS器件的理論極限，相對(duì)于傳統(tǒng)平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方關(guān)系，SJ  MOSFET的導(dǎo)通電阻與擊穿電壓達(dá)到近似線性的關(guān)系。因此SJ  MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時(shí)得到明顯降低，成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的高效率典型功率器件。

CoolSemi的高壓SJ  MOSFET，在全球領(lǐng)先的華虹宏力Deep-Trench工藝平臺(tái)上，采用專利器件結(jié)構(gòu)及特色工藝，開發(fā)出了覆蓋500V~1000V電壓平臺(tái)和14mΩ~4000mΩ導(dǎo)通電阻的G1、G2、G3、G4、G5系列產(chǎn)品。憑借針對(duì)開關(guān)速度、反向恢復(fù)時(shí)間、開關(guān)損耗、EMI兼容性、高可靠性的獨(dú)特優(yōu)化設(shè)計(jì)，產(chǎn)品不僅在充電樁、工業(yè)電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機(jī)等工業(yè)和車載產(chǎn)品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費(fèi)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

典型應(yīng)用產(chǎn)品：充電樁、工業(yè)電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機(jī)等工業(yè)和車載產(chǎn)品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費(fèi)領(lǐng)域

展品2

展品名稱：IGBT

展品類別：功率器件

展品特點(diǎn)：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體管，是在普通VDMOS基礎(chǔ)上，晶圓背面增加了P+注入，利用電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)在漂移區(qū)增加載流子數(shù)量，從而大幅度降低器件的導(dǎo)通電阻和芯片面積。IGBT器件電流密度高且功耗低，能夠顯著提高能效、降低散熱需求，適用于高電壓、大電流等大功率場(chǎng)景。

Coolsemi的IGBT采用目前業(yè)內(nèi)最新的trench FS工藝，依托于國內(nèi)成熟且工藝領(lǐng)先的8寸/12寸晶圓生產(chǎn)線，擁有更低的導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，以及更強(qiáng)的可靠性。目前功成IGBT產(chǎn)品根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同，擁有F、S、D、L等系列，覆蓋了600V~1200V以及5A~100A的功率范圍，廣泛應(yīng)用于通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、電焊接、開關(guān)電源以及汽車電子等領(lǐng)域。

典型應(yīng)用產(chǎn)品：通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、電焊接、開關(guān)電源以及汽車電子等領(lǐng)域。