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臺積電:2nm節(jié)點進展順利 2025下半年推出N3X、N2 制程

2024-05-24
來源:IT之家
關鍵詞: 臺積電 2nm N3X N2

5 月 24 日消息,據(jù)臺媒《MoneyDJ 理財網(wǎng)》報道,臺積電高管在 2024 年技術論壇新竹場上稱,其采用 Nanosheet 納米片(GAA 晶體管)的 2nm 節(jié)點進展順利。

臺積電聯(lián)席副 COO 張曉強表示,臺積電的 2nm 制程進展“非常順利”:目前納米片的“轉換表現(xiàn)”已達到目標 90%,按良率計算也超過了 80%。

臺積電認為其 N2 制程在 2025 年推出時,將繼續(xù)成為代工業(yè)界最領先的技術。

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另據(jù)外媒 Anandtech 整理,臺積電將在 2025 下半年實現(xiàn) N2 制程量產(chǎn),同期還將帶來 3nm 家族中面向 HPC 應用的 N3X 制程。

N3X 制程擁有更高的 1.2V 最大電壓,相較 N3P 制程在相同頻率下功耗降低 7%,在相同面積下性能提升 5%,在相同頻率下密度提升 10%。另據(jù)IT之家此前報道,該節(jié)點有望從今年開始接獲投片。

而在 2026 下半年,臺積電將量產(chǎn)兩個 2nm 家族變體制程:N2P 和 A16。

N2P 制程將相較 N2 制程在相同頻率和密度下功耗降低 5~10%,在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。

在 A16 節(jié)點,臺積電將正式引入背面供電技術。該制程可在相同工作電壓下,頻率提升 8~10%;在相同頻率下功耗降低 15~20%,密度至高提升 10%。


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