5 月 24 日消息，據路透社報道，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試。三名知情人士表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。

報道稱，這些問題影響到了三星的 HBM3 芯片，該芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 標準。問題還影響了第五代 HBM3E 芯片。

三星在一份聲明中表示，HBM 是一款定制內存產品，需要“根據客戶需求進行優化流程”，并補充說，該公司正在通過與客戶的密切合作來優化其產品。它拒絕對特定客戶發表評論。IT之家注意到，英偉達拒絕置評。

三位消息人士稱，自去年以來，三星一直在努力通過英偉達對 HBM3 和 HBM3E 的測試。據兩位知情人士透露，三星 8 層和 12 層 HBM3E 芯片的失敗測試結果于 4 月份公布。

目前尚不清楚這些問題是否可以很快解決，但三位消息人士表示，未能滿足英偉達的要求增加了業界和投資者的擔憂，即三星可能會進一步落后于競爭對手 SK 海力士和美光。