6 月 18 日消息，據(jù) Etnews 報(bào)道，三星電子正在考慮將其美國(guó)得克薩斯州泰勒工廠的工藝制程從 4 納米改為 2 納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季度做出最終決定。

▲ 三星電子泰勒工廠建設(shè)工地（圖源：三星電子）

三星電子泰勒工廠投資于 2021 年，次年開(kāi)始建設(shè)，計(jì)劃于 2024 年底開(kāi)始分階段運(yùn)營(yíng)。三星電子 DS 部門(mén)前負(fù)責(zé)人 Lee Bong-hyun 曾表示，“到 2024 年底，我們將開(kāi)始從這里出貨 4 納米產(chǎn)品”。

相對(duì)地，英特爾計(jì)劃今年在亞利桑那州和俄亥俄州工廠量產(chǎn) Intel 20A 和 18A 工藝。此外，臺(tái)積電正在美國(guó)建設(shè)三座晶圓廠，計(jì)劃 2025 年上半年投產(chǎn) 4nm 制程，2028 年投產(chǎn) 2/3nm 制程，2030 年投產(chǎn) 2nm 以下制程。

在 4 月舉行的第一季度業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上，三星電子表示“我們正準(zhǔn)備根據(jù)客戶(hù)訂單分階段啟動(dòng)美國(guó)泰勒工廠的運(yùn)營(yíng)工作，預(yù)計(jì)將于 2026 年實(shí)現(xiàn)首次量產(chǎn)。”

得益于泰勒工廠，三星電子能夠從美國(guó)政府獲得 64 億美元（當(dāng)前約 464.98 億元人民幣）的補(bǔ)貼，到 2030 年總投資預(yù)計(jì)將超過(guò) 400 億美元（當(dāng)前約 2906.15 億元人民幣）。對(duì)于泰勒工廠的工藝轉(zhuǎn)變是否會(huì)影響投資，我們還需拭目以待。