2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)：
在三星眼中，HBM4E 相較 HBM4 的兩大變化是引入 32Gb DRAM 裸片和將每引腳速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆疊時將單堆棧容量擴(kuò)展至 64GB，而后者意味著 HBM4E 的整體帶寬將達(dá) HBM4 的 1.25 倍。
下游應(yīng)用方面，HBM4E 內(nèi)存有望被英偉達(dá) 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 個 HBM4 (E) 堆棧，這意味著單加速器內(nèi)存容量有望達(dá)到驚人的 768GB。
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