4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業 Neumonda 達成戰略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線。
這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國 DRAM 工廠破產關停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產。
雙方此次合作的核心是 FMC 研發的 "DRAM+" 技術。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 級別，同時保持斷電不丟失數據的特性。
注：FeRAM 類似于 SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術。它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質，因此也擁有了非揮發性內存的功能。
FMC 首席執行官 Thomas Rueckes 解釋稱：“鉿氧化物的鐵電效應將 DRAM 電容轉變為非易失性存儲單元，在保持高性能的同時實現低功耗，特別適合 AI 運算的持久內存需求。”
合作雙方將依托 Neumonda 開發的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大測試系統，構建從研發到量產的完整鏈條。
Neumonda 首席執行官 Peter Poechmueller 表示：“我們的終極目標是重建德國的存儲芯片產業，本次合作邁出了關鍵一步。”
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