6 月 20 日消息，麻省理工學院（MIT）的研究團隊開發出一種低成本、可擴展的制造技術，可將高性能氮化鎵（GaN）晶體管集成到標準硅芯片上，從而提升高頻應用（如視頻通話、實時深度學習）的性能表現。

氮化鎵是繼硅之后全球第二大半導體材料，因其高頻、高效特性，被廣泛用于雷達、電源電子等領域。然而，其高昂成本及與硅基芯片的兼容性難題，長期限制了商業化應用。

MIT 團隊為此提出了新制造方案，在氮化鎵晶圓表面密集制造微型晶體管，切割成僅 240×410 微米的獨立單元（稱“dielet”），再通過銅柱低溫鍵合技術，精準嵌入硅互補金屬氧化物半導體（CMOS）芯片。

新技術的核心是“分而治之”策略。團隊開發專用工具，利用真空吸附與納米級定位，對齊 dielet 與硅基板的銅柱接口，400 攝氏度以下完成低溫鍵合。

相比傳統金焊工藝，銅柱結合成本更低、導電性更優，且兼容現有半導體產線。實驗中，團隊制作的功率放大器芯片（面積不足 0.5 平方毫米）在無線信號強度與能效上超越硅基器件，可提升智能手機通話質量、帶寬及續航，并降低系統發熱。

援引 MIT News 媒體觀點，該技術為突破摩爾定律瓶頸提供了新路徑，通過三維集成氮化鎵與硅芯片，未來可整合射頻前端、AI 加速器等模塊，推動“天線至 AI”的統一平臺發展。

論文共同作者 Pradyot Yadav 表示，這種“硅基數字芯片與氮化鎵優勢結合”的混合芯片，可能顛覆通信、數據中心及量子計算領域。

IBM 科學家 Atom Watanabe 評價，該成果“重新定義了異質集成的邊界，為下一代系統小型化與能效優化樹立標桿”。