6月27日消息，美光本周在最新的財報電話會議中宣布，已開始向客戶提供采用導入極紫外光（EUV）光刻技術的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X 內存樣品。這也顯示美光已正式進入EUV DRAM 制程時代。

美光CEO Sanjay Mehrotra 指出，目前1γ DRAM 技術節點上進展非常順利，良率爬升速度甚至超越1?（1-beta）節點紀錄。美光在本季完成多項關鍵產品里程碑，包括首批基于1γ 制程的LPDDR5 DRAM 認證樣品出貨。

據介紹，1γ 制程是美光第六代10nm級制程節點，擁有業界最快的 10.7 Gbps速率，與前一代1?相比性能提升15%、功耗降低20%。此外，1γ 的位密度增加30%，隨著良率提升有望進而降低生產成本。除了1γ 制程的LPDDR5X 之外，美光今年也將推出基于1γ 制程的16Gb DDR5-9200 內存芯片，主打更高性能與更低功耗，不過還沒公布產品最新進展。

展望未來，美光計劃全面導入第六代10nm級1γ 制程，涵蓋DDR5、LPDDR5X、GDDR7 及數據中心相關內存產品線。Mehrotra 強調，將在所有DRAM 產品在線導入1γ 制程，發揮此領先技術的最大效益。

雖然美光尚未透露有多少層使用EUV 技術，但推測可能主要用于原本需繁復多重曝光的關鍵層。美光已在日本啟用首臺EUV 設備，并開始量產1γ DRAM，未來也將在日本與中國臺灣擴大EUV DRAM產能。