《電子技術(shù)應(yīng)用》
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展業(yè)界領(lǐng)先的高能效、低 Vce(sat) 雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品系列,包括新的封裝選擇

全新 PNP 與 NPN器件針對(duì)便攜式電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的能效及更長(zhǎng)的電池使用壽命
2007-07-23
作者:安森美
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全球領(lǐng)先的電源管理半導(dǎo)體解決方案" title="半導(dǎo)體解決方案">半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體 ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克" title="納斯達(dá)克">納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的 PNP NPN 器件,豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低 Vce(sat) 雙極結(jié)" title="雙極結(jié)">雙極結(jié)晶體管 (BJT) 產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的 BJT 或平面 MOSFET相比,不僅實(shí)現(xiàn)了能效的最大化,而且還延長(zhǎng)了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFNSOT-23SOT-223SOT-563ChipFET SC-88等多種封裝形式,非常適用于多種便攜式應(yīng)用。?

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安森美半導(dǎo)體" title="安森美半導(dǎo)體">安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理 Mamoon Rashid 指出:安森美半導(dǎo)體提供目前市場(chǎng)上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品,為電源控制提供了非常經(jīng)濟(jì)的解決方案。這種器件非常適用于移動(dòng)電話和汽車等多種開關(guān)應(yīng)用 (strategic switch),為設(shè)計(jì)人員提供高性價(jià)比的解決方案,從而有助于他們推出領(lǐng)先的產(chǎn)品。?

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安森美半導(dǎo)體最新推出的 NSSxxx Vce(sat) 表面貼裝器件專為對(duì)能效控制要求極為嚴(yán)格的低壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電流為1 A時(shí),該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過(guò)8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差,因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護(hù),避免受損。由于實(shí)現(xiàn)了出色的電氣性能及較低的溫度系數(shù),因此這種器件可提高能效,在無(wú)需額外 ESD 保護(hù)電路就能實(shí)現(xiàn)更好的電池節(jié)能。相對(duì)于 MOSFET而言,這種器件比較適中的開關(guān)速度降低了噪聲諧波,因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應(yīng)用。? ?

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安森美半導(dǎo)體的低 Vce(sat) BJT 系列產(chǎn)品采用多種業(yè)界領(lǐng)先的封裝,包括SOT-23SOT-223SOT-563WDFN3WDFN6ChipFETSC-88SC74TSOP6等。每10,000片的批量單價(jià)為0.140.27美元。?

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