IGBT的柵極出現(xiàn)過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓. 2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓. 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示.此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極.
IGBT的柵極出現(xiàn)過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓. 2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓. 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示.此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極.
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