如圖所示為可控硅快速測試電路。該測試儀由脈沖信號發(fā)生器、閉合導通環(huán)路、發(fā)光二極管、可控硅SCR等組成。
脈沖信號發(fā)生器即為由時基電路555和R1、R2、C等組成的多諧振蕩器，其振蕩頻率為f=1.44/(R1 2R2)C。圖示參數(shù)對應的振蕩頻率約為1Hz。由于R1<
如圖所示為可控硅快速測試電路。該測試儀由脈沖信號發(fā)生器、閉合導通環(huán)路、發(fā)光二極管、可控硅SCR等組成。
脈沖信號發(fā)生器即為由時基電路555和R1、R2、C等組成的多諧振蕩器，其振蕩頻率為f=1.44/(R1 2R2)C。圖示參數(shù)對應的振蕩頻率約為1Hz。由于R1<Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2
