如圖所示，電路以555為核心，與光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強弱呈現(xiàn)不同的阻值，利用555內(nèi)部的兩個比較器的復(fù)位和置位特性，便可組成施密特觸發(fā)器。當光強時，RG呈低阻，2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平)，555置位，K不動作；當光弱時，RG呈高阻，6腳電平高于2/3 VDD閾值電平，555復(fù)位，K吸合。
如圖所示，電路以555為核心，與光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強弱呈現(xiàn)不同的阻值，利用555內(nèi)部的兩個比較器的復(fù)位和置位特性，便可組成施密特觸發(fā)器。當光強時，RG呈低阻，2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平)，555置位，K不動作；當光弱時，RG呈高阻，6腳電平高于2/3 VDD閾值電平，555復(fù)位，K吸合。
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