一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計
所屬分類:技術(shù)論文
上傳者:serena
標簽: 集成電路 LDMOS
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文檔介紹:提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS,該結(jié)構(gòu)改善了表面電場分布,從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結(jié)構(gòu)進行驗證,并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優(yōu)化,結(jié)果表明,在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下,采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。
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