CMOS和TTL電路探討
所屬分類:技術論文
上傳者:serena
標簽: CMOS TTL
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文檔介紹: 通常以為TTL門的速度高于CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻數值。電阻數值越大,作速度越低。管子的開關時間越長,門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對于輸入波形上有傳輸延時。將tpd與空載功耗P的乘積稱速度-功耗積,做為器件性能的一個重要指標,其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門電路的情況不同,影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。
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