| 一種二階補償帶隙基準設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：477 K | |
| 標簽： 基準電壓 二階補償 分段補償 | |
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| 文檔介紹：基于分段補償原理和MOS管的漏極電流是過驅動電壓的平方關系函數(shù)，提出了一種新穎的二階補償結構，僅引入一股與溫度成平方關系的電流，既補償了低溫階段的基準電壓，又補償了高溫階段的基準電壓，大大提高了基準電壓源隨溫度變化的穩(wěn)定性。采用0.5 μm BCD工藝對電路進行仿真，結果表明，輸出電壓為1.24 V，溫度范圍在-35 ℃～135 ℃時，溫度系數(shù)為2.82 ppm/℃；在低頻時，電源抑制比達到了75.6 dB。 | |
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