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SK海力士HBM3E內存良率已接近80%
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三星SK海力士將超過20%的DRAM產線轉換為HBM
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消息稱三星計劃量產的1c DRAM使用MOR光刻膠
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消息稱SK 海力士擬新建DRAM工廠
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美光獲得美國至多61.4億美元直接補貼和75億美元貸款
發表于：4/26/2024 8:59:35 AM
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SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠
發表于：4/25/2024 8:59:30 AM
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美光科技：臺灣地震導致DRAM芯片季度供應下降5%
發表于：4/15/2024 9:58:00 AM
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美光計劃二季度針對DRAM內存和固態硬盤產品調漲 25%
發表于：4/9/2024 11:23:21 PM
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SK 海力士、三星電子有望于年內先后啟動1c納米DRAM內存量產
發表于：4/9/2024 11:09:13 PM
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三星和SK海力士正在提高DRAM產量
發表于：4/7/2024 8:51:11 AM
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三星升級HBM團隊以加速AI推理芯片Mach-2開發
發表于：4/1/2024 9:51:00 AM
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美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠
發表于：3/28/2024 9:15:05 AM
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美光預估AI時代旗艦手機DRAM內存用量將提升50%~100%
發表于：3/22/2024 9:00:31 AM
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三星正研發 CMM-H 混合存儲模組
發表于：3/21/2024 9:00:05 AM
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三星DRAM預估今年下半年產能恢復到2023年前水平
發表于：3/18/2024 9:00:44 AM
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DRAM增長全面轉正，六巨頭大漲221%
發表于：3/8/2024 10:00:00 AM
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美光計劃部署納米印刷技術以降低DRAM芯片生產成本
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SK海力士或將與鎧俠合作在日本生產HBM
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南亞內存20nm技術被盜損失數十億
發表于：3/5/2024 9:30:28 AM
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SK海力士三星電子HBM良率僅65%
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AI浪潮帶動存儲芯片再進化
發表于：3/5/2024 9:30:11 AM
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三星：考慮將MUF技術應用于服務器 DRAM 內存
發表于：3/4/2024 9:30:45 AM
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SK海力士2024年將增8臺EUV光刻機
發表于：2/28/2024 9:30:18 AM
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SK海力士將升級中國半導體工廠
發表于：1/15/2024 11:09:58 AM
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消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價格已上調 15%-20%
發表于：1/3/2024 11:48:30 AM
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美光率先為業界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內存
發表于：11/26/2023 8:36:00 AM
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半導體產業谷底已現！
發表于：6/12/2023 10:59:20 AM
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存儲芯片路線圖
發表于：5/9/2023 10:06:17 AM
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AI入侵芯片設計，會干掉工程師嗎？
發表于：5/4/2023 10:39:02 AM
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美國要再出手，全面鎖死中國18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片
發表于：2/28/2023 11:28:19 PM
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