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入門:通過并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率
發(fā)表于:9/12/2022 4:24:31 PM
電力電子課程:第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
發(fā)表于:9/12/2022 4:06:19 PM
士蘭微2022年上半年凈利潤同比增長39.12%,主要在MOSFET、IGBT 大功率模塊(PIM)
發(fā)表于:8/25/2022 4:56:09 PM
Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET
發(fā)表于:7/27/2022 9:11:40 AM
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
發(fā)表于:7/6/2022 3:47:00 PM
豪威集團發(fā)布業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET
發(fā)表于:6/28/2022 6:01:52 PM
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
發(fā)表于:5/25/2022 10:32:17 PM
Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
發(fā)表于:5/12/2022 4:32:53 PM
東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率
發(fā)表于:4/3/2022 6:46:00 AM
Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
發(fā)表于:3/24/2022 4:40:25 PM
東微半導體:公司 MOSFET、IGBT等產(chǎn)品不會惡意漲價
發(fā)表于:3/9/2022 9:24:26 PM
【AFG專題系列72變】之二:無刷電機調速器我可以
發(fā)表于:2/28/2022 2:35:27 PM
擴展新應用領域,PI推出首款汽車級開關電源IC
發(fā)表于:2/24/2022 12:19:44 AM
Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件,RDS(ON)*Qg FOM僅為2.8 Ω*nC,達到業(yè)內先進水平
發(fā)表于:2/22/2022 9:29:27 PM
Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件, RDS(ON)*QgFOM僅為2.8 Ω*nC,達到業(yè)內先進水平
發(fā)表于:2/21/2022 8:44:00 PM
Power Integrations推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC
發(fā)表于:2/21/2022 12:30:52 AM
MOSFET迎來春天
發(fā)表于:1/3/2022 10:21:55 PM
新能源OBC放量,派恩杰SiC MOS憑世界領先性能率先上車
發(fā)表于:12/29/2021 11:16:00 AM
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設計提供 碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅動器
發(fā)表于:12/13/2021 6:07:17 PM
Power Integrations推出新款InnoSwitch3-TN IC,可將家電電源能耗減少75%
發(fā)表于:12/8/2021 8:53:15 PM
基于MOSFET的電動汽車電源開關設計
發(fā)表于:12/1/2021 4:30:00 PM
安世半導體致力于為中國汽車半導體保駕護航
發(fā)表于:11/4/2021 4:40:52 PM
【技術大咖測試筆記系列】之八:低功率范圍內的MOSFET表征
發(fā)表于:10/20/2021 8:42:45 PM
意法半導體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅動器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
發(fā)表于:10/19/2021 8:16:00 PM
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
發(fā)表于:9/8/2021 1:44:00 PM
?國產(chǎn)MOSFET,實力幾何?
發(fā)表于:9/8/2021 9:44:36 AM
貿(mào)澤電子新品推薦:2021年7月新增超2370個物料
發(fā)表于:9/5/2021 11:17:00 PM
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
發(fā)表于:8/30/2021 1:55:37 PM
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%,并將PCB占用空間減小80%
發(fā)表于:8/4/2021 3:12:55 PM
馬來西亞無限期鎖國,MOSFET供應更嚴峻
發(fā)表于:7/11/2021 3:04:09 PM
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