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英特爾下代AI芯片將采用SK海力士HBM4
發(fā)表于：7/2/2025 2:23:56 PM
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三星電子加入SOCAMM內(nèi)存模塊戰(zhàn)場
發(fā)表于：7/2/2025 10:56:19 AM
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三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成
發(fā)表于：7/1/2025 1:13:16 PM
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英偉達在SK海力士HBM內(nèi)存銷售額占比降至80%
發(fā)表于：6/25/2025 11:12:01 AM
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美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免”
發(fā)表于：6/23/2025 9:12:55 AM
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SK海力士已向英偉達小批量供應(yīng)HBM4
發(fā)表于：6/20/2025 2:59:12 PM
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SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購
發(fā)表于：6/17/2025 1:22:57 PM
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美光與SK海力士等美國建廠計劃受阻
發(fā)表于：6/13/2025 1:29:27 PM
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任天堂Switch 2拆解：關(guān)鍵芯片供應(yīng)商曝光
發(fā)表于：6/11/2025 1:52:11 PM
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SK海力士發(fā)布未來30年新DRAM技術(shù)路線圖
發(fā)表于：6/10/2025 1:38:27 PM
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2025Q1全球DRAM市場下滑5.5%
發(fā)表于：6/4/2025 11:22:06 AM
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五大NAND閃存廠Q1營收暴跌近1/4
發(fā)表于：5/30/2025 9:24:54 AM
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消息稱SK海力士計劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存
發(fā)表于：5/28/2025 1:15:01 PM
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HBM4制造難度及成本將更高
發(fā)表于：5/23/2025 1:19:13 PM
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三星押注1c DRAM挑戰(zhàn)SK海力士HBM霸主地位
發(fā)表于：5/23/2025 10:39:50 AM
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SK海力士成功開發(fā)基于321層NAND閃存的UFS 4.1解決方案產(chǎn)品
發(fā)表于：5/22/2025 1:09:00 PM
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消息稱三星等5大原廠集體減產(chǎn)10~15%NAND
發(fā)表于：5/20/2025 2:02:06 PM
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三星電子和SK海力士正在加速將混合鍵合技術(shù)引入HBM4
發(fā)表于：5/9/2025 10:34:24 AM
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SK海力士DRAM顆粒大漲12%
發(fā)表于：5/7/2025 9:08:26 AM
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三星計劃三年內(nèi)量產(chǎn)V-DRAM
發(fā)表于：4/29/2025 9:16:17 AM
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SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4
發(fā)表于：4/28/2025 11:25:58 AM
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DDR4市場生變 美光緊隨三星削減產(chǎn)能
發(fā)表于：4/24/2025 9:38:17 AM
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB產(chǎn)品客戶驗證
發(fā)表于：4/23/2025 9:54:45 AM
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韓國將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持資金增至230億美元
發(fā)表于：4/15/2025 6:25:03 PM
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消息稱SK海力士拆分HBM封裝產(chǎn)品開發(fā)團隊
發(fā)表于：4/14/2025 9:27:43 PM
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SK海力士大連二廠、臺積電日本熊本二廠紛紛建設(shè)延期
發(fā)表于：4/14/2025 7:16:33 PM
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SK海力士首次超越三星成為全球第一大DRAM供應(yīng)商
發(fā)表于：4/9/2025 8:23:02 PM
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消息稱SK海力士1c nm DRAM內(nèi)存良率約為80%
發(fā)表于：4/8/2025 9:15:35 PM
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消息稱SK海力士封裝廠產(chǎn)線升級 HBM月產(chǎn)能新增1萬片晶圓
發(fā)表于：4/3/2025 9:27:06 AM
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SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的最終階段交易
發(fā)表于：3/28/2025 11:33:53 AM
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