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英特爾下代AI芯片將采用SK海力士HBM4
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三星電子加入SOCAMM內存模塊戰場
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三星電子1c nm DRAM內存工藝開發完成
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英偉達在SK海力士HBM內存銷售額占比降至80%
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美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免”
發表于：6/23/2025 9:12:55 AM
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SK海力士已向英偉達小批量供應HBM4
發表于：6/20/2025 2:59:12 PM
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SK海力士暫緩1c DRAM內存量產設備采購
發表于：6/17/2025 1:22:57 PM
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美光與SK海力士等美國建廠計劃受阻
發表于：6/13/2025 1:29:27 PM
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任天堂Switch 2拆解：關鍵芯片供應商曝光
發表于：6/11/2025 1:52:11 PM
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SK海力士發布未來30年新DRAM技術路線圖
發表于：6/10/2025 1:38:27 PM
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2025Q1全球DRAM市場下滑5.5%
發表于：6/4/2025 11:22:06 AM
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五大NAND閃存廠Q1營收暴跌近1/4
發表于：5/30/2025 9:24:54 AM
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消息稱SK海力士計劃10月量產12Hi HBM4內存
發表于：5/28/2025 1:15:01 PM
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HBM4制造難度及成本將更高
發表于：5/23/2025 1:19:13 PM
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三星押注1c DRAM挑戰SK海力士HBM霸主地位
發表于：5/23/2025 10:39:50 AM
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SK海力士成功開發基于321層NAND閃存的UFS 4.1解決方案產品
發表于：5/22/2025 1:09:00 PM
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消息稱三星等5大原廠集體減產10~15%NAND
發表于：5/20/2025 2:02:06 PM
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三星電子和SK海力士正在加速將混合鍵合技術引入HBM4
發表于：5/9/2025 10:34:24 AM
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SK海力士DRAM顆粒大漲12%
發表于：5/7/2025 9:08:26 AM
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三星計劃三年內量產V-DRAM
發表于：4/29/2025 9:16:17 AM
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SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4
發表于：4/28/2025 11:25:58 AM
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DDR4市場生變 美光緊隨三星削減產能
發表于：4/24/2025 9:38:17 AM
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB產品客戶驗證
發表于：4/23/2025 9:54:45 AM
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韓國將半導體產業支持資金增至230億美元
發表于：4/15/2025 6:25:03 PM
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消息稱SK海力士拆分HBM封裝產品開發團隊
發表于：4/14/2025 9:27:43 PM
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SK海力士大連二廠、臺積電日本熊本二廠紛紛建設延期
發表于：4/14/2025 7:16:33 PM
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SK海力士首次超越三星成為全球第一大DRAM供應商
發表于：4/9/2025 8:23:02 PM
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消息稱SK海力士1c nm DRAM內存良率約為80%
發表于：4/8/2025 9:15:35 PM
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消息稱SK海力士封裝廠產線升級 HBM月產能新增1萬片晶圓
發表于：4/3/2025 9:27:06 AM
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SK海力士已完成收購英特爾NAND業務部門的最終階段交易
發表于：3/28/2025 11:33:53 AM
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