擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT^®公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）今天宣布，針對目前的無線產(chǎn)品推出業(yè)內(nèi)功耗最低和線性最高的IQ 調(diào)制器。與同類產(chǎn)品相比，idtf1650-broadband-zifcif-iq-modulator-high-order-lte-mimo-systems">IDTF1650可直接連接高性能雙模數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），降低功耗達(dá)50%，IM3 失真降低12dB。這款器件是要求超低功耗的高性能LTE 多輸入多輸出（MIMO）無線通信系統(tǒng)的理想選擇。

在典型的多模、多載波基站發(fā)射器中，調(diào)制器線性有限且功耗較高，在數(shù)字預(yù)失真環(huán)境下對系統(tǒng)的鄰道泄漏比（ACLR）和功耗預(yù)算帶來負(fù)面影響。IDTF1650 內(nèi)置Zero-Distortion™技術(shù)，消除了這些缺陷，使工程師們能夠在很低功耗[500 mW] 下獲得很高的OIP2 [60 dBm] 和OIP3 [35 dBm]。

IDT 副總裁兼時鐘和 RF 部門總經(jīng)理 Dave Shepard表示：“IDTF1650 是我們不斷豐富的先進(jìn)RF 器件系列的新成員，將幫助我們的客戶開發(fā)領(lǐng)先市場的產(chǎn)品。我們的新低功耗IQ 調(diào)制器解決了工程師們目前面臨的最大挑戰(zhàn)，使他們能夠?qū)崿F(xiàn)日益嚴(yán)格的功耗和性能預(yù)期。”

通過IDTF1650 運(yùn)行MIMO 可節(jié)約高達(dá)4 瓦功耗，帶來更好的頻譜性能，并改進(jìn)誤差向量幅度（EVM）。該器件可帶來超高線性度和3dB 功耗增益，同時只增加極少噪音，且能夠直接與主流的 JESD204B 和DDR DACs連接。

價格與供貨

IDTF1650 采用 4x4 mm 24-ld VFQFPN緊湊封裝。想要了解 IDT 豐富的RF 信號產(chǎn)品系列的更多信息，請?jiān)L問 http://zh.idt.com/products/rf-products。

關(guān)于IDT 公司

IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)，并且運(yùn)用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢技術(shù)提供系統(tǒng)級解決方案，優(yōu)化廣大客戶的應(yīng)用。憑借在計(jì)時、串行交換電路和接口方面的市場領(lǐng)導(dǎo)地位，并發(fā)揮模擬和系統(tǒng)專長，IDT 為通信、計(jì)算和消費(fèi)芯片市場提供全面的應(yīng)用優(yōu)化、混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞，在全球各地設(shè)有設(shè)計(jì)中心、生產(chǎn)基地、銷售機(jī)構(gòu)和分銷伙伴。IDT 股票在納斯達(dá)克全球精選股票市場上市，代號為“IDTI”。欲了解更多IDT 詳情，敬請登陸http://www.idt.com/china/或訪問Facebook、LinkedIn、Twitter和YouTube。