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FinFET發明人華人胡正明獲美最高科技獎

2016-05-23

據中新網、網易等報道,當地時間2016年 5月19日,美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎,包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意,包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho),出生于南京,1957年畢業于臺灣大學。

  她1993年制造出一種酵母,除了讓木糖發酵,也可以吧果糖變成乙醇,因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇,幫助減少對進口石油的依賴。

  另一位是胡正明教授,他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在臺灣長大,后來考入加州大學伯克利分校,曾任臺積電首席技術官。

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  胡正明教授

  胡正明教授是鰭式場效晶體管(FinFET)的發明者,2010年后,Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭,胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發明得以使14nm/16nm摩爾定律在今天延續傳奇。

  背景資料:

  美國國家技術和創新獎1980年立法設立,由美國聯邦政府商務部下屬專利商標局管理。一個獨立委員會負責向美國總統提名獲獎人,表彰那些為提供美國競爭能力、國民生活品質和勞動力技術素質作出持久貢獻的人士。

  美國國家科學獎是美國科學界最高榮譽,1959年設立,由美國國家科學基金會管理,由另一個獨立委員會向總統提名,表彰在化學、工程、計算、數學、生物、行為和社會以及其他自然科學領域作出杰出貢獻的人士。


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