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東芝擬投資800億新建3D Flash專用廠房

2016-11-10

       東芝(Toshiba)8日發布新聞稿宣布,為了增產3D Flash Memory,將在四日市工廠內興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出,該座新廠房將作為3D Flash專用廠房,將分2期工程興建,其中第1期工程將在2017年2月動工、并預計于2018年夏天完工。

  東芝指出,關于上述新廠房具體的設備導入、開始生產時間,以及產能、生產計劃等細節,將待今后評估市場動向之后再決定,且和西數(Western Digital,“WD”)進行協商后,雙方今后也將進行共同投資。

  東芝并指出,該座新廠房將導入活用AI人工智能的生產系統、借此提升生產效率。

  據NHK報道,東芝上述新廠房的投資額約800億日元。

  根據Yahoo Finance的資料顯示,截至9日上午8點05分為止,東芝勁揚1.59%至376日日元。

  為了對抗三星電子等競爭對手,東芝于今年3月宣布,將在今后3年內(2016年度-2018年度)總計砸下約8,600億日元投資NAND型快閃存儲器(Flash Memory),而上述新廠房就是該8,600億日元投資計劃中的一環。

  東芝7月27日宣布,已研發出堆疊64層的3D Flash制程技術,并自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨。東芝指出,采用上述制程技術的256Gb(32GB)產品預計將在2017年前半開始進行量產,主要用來搶攻數據中心/PC用SSD、以及智能手機/平板電腦/存儲卡等市場,且今后也計劃推出512Gb(64GB)產品。

  東芝表示,和48層產品相比,此次新研發的64層產品每單位面積的存儲容量擴大至1.4倍,且每片晶圓所能生產的存儲容量增加、每bit成本也下滑。

  東芝統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于7月6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產量,目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。

  成毛康雄指出,將強化3D Flash的生產,目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。

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