北京，2018年11月15日——作為設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅（FD-SOI）晶圓產(chǎn)品線專用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產(chǎn)。至此，瑞薩新型基于SOTB^TM技術(shù)的芯片克服了物聯(lián)網(wǎng)設備的能源限制，并將功耗降低到目前市場現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一，更加適用于超低功率和能量采集應用。

薩瑞新型基于SOTBTM技術(shù)的芯片將功耗降低到目前市場現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一

瑞薩利用其獨特的SOTB工藝技術(shù)開發(fā)出能量收集芯片，該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機電流。 該產(chǎn)品超低功率性能使其可以在端點幫助連接物聯(lián)網(wǎng)傳感設備實現(xiàn)免維護功能。 對于從事芯片安裝工藝的消費電子產(chǎn)品開發(fā)商而言，如何通過這些傳感器節(jié)點內(nèi)的能量收集功能設計免維護設備，特別是在可穿戴設備、智能家居應用、手表、便攜式設備和基礎設施監(jiān)控系統(tǒng)中實現(xiàn)免維護功能，變得越來越重要。

超低能耗設備

瑞薩選擇Soitec襯底作為其超薄而均勻的活性層，該襯底是目前在大批量生產(chǎn)的薄晶硅（SOI）下最薄埋氧化物（BOX）。 由于使用了Soitec襯底，瑞薩SOTB芯片組可以增強對晶體管靜電的控制，并將待機和有效電流降低到前所未有的水平。 此外，瑞薩還成功交付了無障礙通道，以抑制超低電壓操作的Vth變化，以及超低功率反偏置控制，同時降低待機電流。

Soitec數(shù)字電子業(yè)務部執(zhí)行副總裁Christophe Maleville表示： “Soitec與瑞薩團隊在SOTB技術(shù)開發(fā)方面的緊密合作進一步表明全耗盡設備將徹底改變我們的日常生活。我們很高興能成為瑞薩SOTB系列產(chǎn)品中的一員。我們也期待在推動超低功率設備創(chuàng)新這個生態(tài)系統(tǒng)成長方面貢獻自己的綿薄之力。”

瑞薩工業(yè)解決方案業(yè)務部家庭業(yè)務部副總裁Toru Moriya先生表示：“為了推動物聯(lián)網(wǎng)和消費應用的創(chuàng)新，我們將我們獨有的能量收集技術(shù)SOTB集成到我們的能量收集控制器中。我們相信，基于Soitec超薄襯底的瑞薩SOTB技術(shù)可以為開發(fā)無需電源供應和更換的免維護物聯(lián)網(wǎng)設備提供無與倫比的性能，從而促進基于端點智能的全新物聯(lián)網(wǎng)市場的發(fā)展。”

注：文中圖片均來自瑞薩官方網(wǎng)站