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我國研制出單片集成全硅發光器件

2019-03-22
關鍵詞: IC工藝 多晶硅光源

  據科技日報報道,電子科技大學徐開凱課題組借助標準硅IC工藝研制出單片集成的全硅發光器件,實現基于PN結級聯的高效多晶硅光源

  這項技術的意義在于,取得了全硅半導體光電器件與集成技術領域的新突破。

  據電子科技大學全硅半導體光電器件與集成技術研究小組相關負責人介紹,依托電子薄膜與集成器件國家重點實驗室等,與中國電子科技集團重慶聲光電有限公司等單位合作,嘗試通過引入多晶硅材料全面替代單晶硅材料,載流子注入工程與器件結構設計實現優勢互補,實現了一種相對高效的多晶硅光源,其PN結級聯之器件結構也為實現高頻調制奠定了技術基礎。基于上述研究,課題組趙建明及研究團隊同學還實現了基于PN結結構之載流子注入回路,這一基于硅傳感器的載流子注入之電光回路未來有望應用于包括激光雷達、毫米波雷達等在內的諸多感知設備中。

  芯片級硅基光電子集成技術,具有體積小、功耗低、穩定性高、成本低等特點,是當今半導體光電器件與集成技術中最有前景的主流技術之一。硅基光電子器件與CMOS工藝兼容也正令光電子器件的大規模集成成為可能。


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