在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）工藝陸續(xù)進(jìn)入1X及1Y工藝領(lǐng)域之后，全球 DRAM 龍頭韓國(guó)三星21日宣布，首次業(yè)界開(kāi)發(fā)第3代10 納米等級(jí)（1Z 納米工藝）8GB 高性能 DRAM。這也是三星發(fā)展 1Y 納米工藝 DRAM 之后，經(jīng)歷 16 個(gè)月，再開(kāi)發(fā)出更先進(jìn)工藝的 DRAM 產(chǎn)品。

　　據(jù)了解，新一代 1Z 納米工藝 DRAM，三星在不使用極紫外線(xiàn)光刻機(jī)（EUV）的情況下打造，這顯示三星進(jìn)一步提高了 DRAM 的生產(chǎn)極限，并拉高競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的生產(chǎn)門(mén)坎。隨著 1Z 納米工藝產(chǎn)品問(wèn)世，并成為業(yè)界最小的內(nèi)存生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，目前三星已準(zhǔn)備好用新的 1Z 納米工藝 DDR4 DRAM 滿(mǎn)足日益成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，生產(chǎn)效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

　　三星表示，1Z 納米工藝 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產(chǎn)時(shí)間將落在 2019 下半年，以因應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在 2020 年支持新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。除了提供市場(chǎng)需求，三星還指出，跨入 1Z 納米工藝的 DRAM 生產(chǎn)，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 接口，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預(yù)做準(zhǔn)備。這些具更高容量和性能的 1Z 納米工藝產(chǎn)品將增強(qiáng)三星在市場(chǎng)的業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固其高階 DRAM 市場(chǎng)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)地位，包括服務(wù)器、圖形和行動(dòng)裝置等領(lǐng)域。

　　另市場(chǎng)消息指出，與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊全面驗(yàn)證后，三星將積極與全球客戶(hù)合作，提供一系列即將面世的內(nèi)存解決方案。為了滿(mǎn)足目前的行業(yè)需求，三星計(jì)劃增加主要內(nèi)存生產(chǎn)比重。