在半導體工藝進入10nm節(jié)點之后，EUV工藝是少不了的，但是EUV光刻機價格高達10億一臺，而且產量有限，導致芯片生產成本很高。日本鎧俠公司現(xiàn)在聯(lián)合伙伴開發(fā)了新的工藝，可以不使用EUV光刻機，工藝直達5nm。

據(jù)據(jù)日媒報導，鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能，以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發(fā)納米壓印微影技術（NIL）的量產技術，鎧俠已掌握15nm量產技術，目前正在進行15nm以下技術研發(fā)，預計2025年達成。

與目前已實用化的極紫外光（EUV）半導體制程細微化技術相比，NIL更加減少耗能且大幅降低設備成本。

因NIL的微影制程較單純，耗電量可壓低至EUV生產方式的10％，并讓設備投資降低至40％。

而EUV設備由ASML獨家生產供應，不但價格高，且需要許多檢測設備配合。

目前NIL在量產上仍有不少問題有待解決，包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等問題。

如果鎧俠能成功率先引進NIL量產技術，可望彌補在設備投資競賽中的不利局面，又能符合減少碳排放的需求。

對鎧俠來說，NAND組件采取3D堆疊立體結構，更容易因應NIL技術的微影制程。

鎧俠表示，已解決NIL的基本技術問題，正在完善量產技術，希望能率先引入NAND生產。

根據(jù)DNP說法，NIL技術電路精細程度可達5nm，DNP從2021年春起，根據(jù)設備的規(guī)格值進行內部仿真。

DNP透露，從半導體制造商詢問增加，顯示不少廠商對NIL技術寄予厚望。

而佳能則致力于將NIL技術廣泛應用于制作DRAM及PC用CPU等邏輯IC的設備，供應多種類型的半導體制造商，將來也希望能應用于手機應用處理器等最先進制程。