| 基于GaN HEMT寬帶低噪聲放大器設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：671 K | |
| 標簽： 低噪聲放大器 氮化鎵 高電子遷移率晶體管 | |
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| 文檔介紹：為了滿足不同通信標準的要求，利用氮化鎵高電子遷移率晶體管器件設計了一個高線性度寬頻帶低噪聲放大器。低噪聲放大器采用兩級電阻負反饋結構，利用集總參數元件和微帶線對低噪聲放大器的輸入和輸出匹配網絡進行優化，實現低噪聲、高線性度、寬頻帶和小回波損耗。在1～3 GHz頻率范圍內,仿真結果表明，低噪聲放大器的噪聲噪聲系數為2.39～3.21 dB，輸入端反射系數小于-10.6 dB，輸出端反射系數小于-17.9 dB，增益為23.74～25.68 dB，增益平坦度小于±0.97 dB，1 dB壓縮點輸出功率大于24.12 dBm，三階交調截取點輸出功率大于36.55 dBm。實際測試增益為22.08～26.12 dB，基本符合仿真結果。 | |
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